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日蝕獨家首創的10ppm石英晶體EB1216JA10-24.576M TR,適合6GWIFI產品

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瀏覽:- 發布日期:2023-06-26 10:29:25【
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日蝕獨家首創的10ppm石英晶體EB1216JA10-24.576M TR,適合6GWIFI產品,作為行業的領先者日蝕公司,憑借著自身的才智與努力,實現自我價值的同時也贏得無數好評與支持,隨著自身的實力爆發式增長,針對性目前的物聯網市場開發適合優良產品,編碼EB1216JA10-24.576M TR,型號EB1216,頻率為24.576MHz,頻率容差 ±15ppm,SMD晶體,負載電容10pF,腳位4-SMD,汽車級石英晶體諧振器1.2毫米x1.6mm毫米x0.4mm毫米4焊盤陶瓷表面貼裝(SMD).

高頻基本音晶體需求量很大,尤其是物聯網行業的無線應用。我們越來越經常地發現設備通過無線電相互通信和交換數據,例如通過藍牙、ZigBee或ISM。所有這些無線電標準都使用三位數兆赫或千兆赫范圍內的頻帶。為了產生這些射頻頻率,這些器件需要非常精確的參考晶體,其頻率范圍約為20至52兆赫。

EB1216 11無線行業的要求:超薄和高精度

具有如此高諧振頻率的石英晶體必須是超薄的。石英越厚,其頻率越低,越不適合無線應用。

生產足夠薄的石英盤需要一系列的生產步驟。原始晶體塊逐漸被分成更小的單元。最小的單元最終是“坯料”,它被鋸、磨、蝕刻和拋光以產生正確的厚度和特別光滑的表面。例如,為了生產諧振頻率為40兆赫的石英坯件,石英盤的厚度必須僅為41.5微米。

由于其額定頻率為40兆赫,這種石英盤已經非常適合無線應用;但事情沒那么簡單。除了相當高的標稱頻率之外,還需要ppm范圍內的最小誤差容差(ppm=百萬分之一)。這種高精度是必要的,因為各個通道的無線電頻率彼此非常接近,尤其是在高頻范圍內。如果要避免不同無線電頻率的重疊,必須確保基本參考頻率的最低頻率容差。

這對晶體生產提出了挑戰,這可以用40兆赫貼片石英晶振的例子來說明。如上所述,石英盤理想地具有正好41.5微米的標稱厚度。由于目標誤差容差僅為+/-10ppm,實際值可能與理想值相差最大+/- 0.415納米。這不到百萬分之一毫米。

這種亞納米范圍的精度不能僅通過機械生產步驟來實現。石英制造商對這個問題的反應是,根據生產設備的特性,從一開始就將他們的晶體生產得過厚或過薄。然后對晶體進行微調,以實現所需的標稱頻率。日蝕獨家首創的10ppm石英晶體EB1216JA10-24.576M TR,適合6GWIFI產品.

制造商零件編號 晶振廠家 描述 工作溫度
EB2532JA12-26.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 26.0000MHZ 12PF SMD -40°C ~ 85°C
EB2532JA12-12.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 12.0000MHZ 12PF SMD -40°C ~ 85°C
EB2532JA12-12.288M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 12.2880MHZ 12PF SMD -40°C ~ 85°C
EB2532JA12-16.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 16.0000MHZ 12PF SMD -40°C ~ 85°C
EB2532YA12-12.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 12.0000MHZ 12PF SMD -40°C ~ 125°C
EB2532YA12-30.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 30.0000MHZ 12PF SMD -40°C ~ 125°C
EB2532YA12-32.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 32.0000MHZ 12PF SMD -40°C ~ 125°C
EB2532YA12-13.560M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 13.5600MHZ 12PF SMD -40°C ~ 125°C
EB2532YA12-24.576M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 24.5760MHZ 12PF SMD -40°C ~ 125°C
EB2532YA12-16.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 16.0000MHZ 12PF SMD -40°C ~ 125°C
EB1216JA10-24.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 24.0000MHZ 10PF SMD -40°C ~ 85°C
EB1216JA10-24.576M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 24.5760MHZ 10PF SMD -40°C ~ 85°C
EB1216YA10-24.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 24.0000MHZ 10PF SMD -40°C ~ 85°C
EB1216YA10-24.576M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 24.5760MHZ 10PF SMD -40°C ~ 85°C
EB1620JA10-24.576M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 24.5760MHZ 10PF SMD -40°C ~ 85°C
EB1620JA10-25.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 25.0000MHZ 10PF SMD -40°C ~ 85°C
EB1216YA10-32.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 32.0000MHZ 10PF SMD -40°C ~ 85°C
EB1620JA10-32.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 32.0000MHZ 10PF SMD -40°C ~ 85°C
EB1216YA10-27.120M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 27.1200MHZ 10PF SMD -40°C ~ 85°C
EA2025JA18-30.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 30.0000MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
EA2025SA10-32.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 32.0000MHZ 10PF SMD -40°C ~ 85°C
EB3250AYA08-8.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 8.0000MHZ 8PF SMD -40°C ~ 125°C
E1SJA18-6.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 6.0000MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-18.432M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 18.4320MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SFA18-4.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 4.0000MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-14.31818M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 14.31818MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-6.144M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 6.1440MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-28.63636M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 28.63636MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-13.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 13.0000MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-19.6608M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 19.6608MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-9.8304M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 9.8304MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-32.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 32MHZ 18PF SMD -
EA2025MA10-16.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 16.0000MHZ 10PF SMD -40°C ~ 85°C
EA2025MA10-32.000M TR ECLIPTEK晶振 CRYSTAL 32.0000MHZ 10PF SMD -40°C ~ 85°C
E1WCDA12-32.768K Ecliptek晶振 CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF TH -10°C ~ 60°C
E1SJA18-18.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 18.0000MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-20.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 20.0000MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-14.7456M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 14.7456MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SCA18-7.3728M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 7.3728MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SEA18-16.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 16.0000MHZ 18PF SMD -20°C ~ 70°C
E1SEA18-12.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 12.0000MHZ 18PF SMD -20°C ~ 70°C
E1SJA18-10.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 10.0000MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-12.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 12.0000MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-11.0592M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 11.0592MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-8.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 8.0000MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-16.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 16.0000MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-3.579545M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 3.579545MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-4.194304M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 4.194304MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-16.9344M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 16.9344MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-5.000M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 5.0000MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
E1SJA18-13.500M TR Ecliptek晶振 CRYSTAL 13.5000MHZ 18PF SMD -40°C ~ 85°C
微調:后蒸發或離子轟擊

石英生產中的最后加工步驟之一是在石英盤的兩面上施加電極。該電極對于電激勵坯件的振蕩是必要的。同時,這個電極也是下面兩個微調石英過程的起點。

1)后蒸發/濺射:

為了能夠使用后蒸發工藝(也稱為“濺射”),石英盤被制造得稍微太薄,以至于即使在施加電極之后,諧振頻率也不會太高。為了糾正這一點,石英電極上蒸發了銀。通過這種方式,應用了超薄銀層,這增加了石英晶振的質量并降低了其頻率。在此過程中,石英盤的頻率被連續測量。如果達到所需的標稱頻率,后蒸發立即停止。

2)通過離子轟擊進行調整

制造的石英盤稍微太厚的先決條件意味著即使在施加了電極之后,諧振頻率仍然稍微太低。在這種情況下,通過用足夠高能量的離子進行目標轟擊來減少電極的質量。通過減少質量,頻率不斷增加。與濺射一樣,在整個過程中監控頻率。一旦達到期望的標稱頻率,該過程就結束。

適合所有無線應用的Ecliptek晶體

由于這兩個微調過程,超薄和高精度晶體可以制造各種各樣的無線應用。這些晶體的工作頻率范圍為16至52兆赫,容錯能力僅為+/-10ppm,頻率穩定性特別高,專門設計用于無線設備。