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Silicon振蕩器,510ABA125M000BAGSi510差分晶振,6G電信晶振,

頻率：125MHZ

尺寸：5.00mmx3.20mm

Silicon振蕩器,510ABA125M000BAG,Si510差分晶振,6G電信晶振，尺寸為5.00mmx3.20mm，頻率125MHZ，電壓為3.3V，頻率穩定性25ppm.輸出為LVPECL，美國Silicon晶振，差分貼片晶振，LVPECL輸出晶振，差分晶體振蕩器，石英晶體振蕩器，有源貼片晶振，SMD振蕩器，低功耗差分振蕩器，XO時鐘振蕩器，低電壓晶振，低相噪振蕩器，低相位差分晶振，低抖動差分晶振，5032mm有源晶振，產品具有低功耗低抖動低相位的特點。

有源晶振產品主要應用范圍十分廣泛，主要應用于SONET/SDH/OTN網絡，千兆以太網，光纖通道/SAS/SATA，PCI Express總線，3G-SDI/HD-SDI/SDI，電信，交換機/路由器，FPGA/ASIC時鐘生成等領域.Silicon振蕩器,510ABA125M000BAG,Si510差分晶振,6G電信晶振.


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Silicon振蕩器,510ABA125M000BAG,Si510差分晶振,6G電信晶振，尺寸為5.00mmx3.20mm，頻率125MHZ，電壓為3.3V，頻率穩定性25ppm.輸出為LVPECL，美國Silicon晶振，差分貼片晶振，LVPECL輸出晶振，差分晶體振蕩器，石英晶體振蕩器，有源貼片晶振，SMD振蕩器，低功耗差分振蕩器，XO時鐘振蕩器，低電壓晶振，低相噪振蕩器，低相位差分晶振，低抖動差分晶振，5032mm有源晶振，產品具有低功耗低抖動低相位的特點。

有源晶振產品主要應用范圍十分廣泛，主要應用于SONET/SDH/OTN網絡，千兆以太網，光纖通道/SAS/SATA，PCI Express總線，3G-SDI/HD-SDI/SDI，電信，交換機/路由器，FPGA/ASIC時鐘生成等領域.Silicon振蕩器,510ABA125M000BAG,Si510差分晶振,6G電信晶振.2

Silicon振蕩器,510ABA125M000BAG,Si510差分晶振,6G電信晶振       參數表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage V DD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
1.8 V option 1.71 1.8 1.89 V
Supply Current IDD CMOS, 100 MHz,
single-ended 		— 21 26 mA
LVDS
(output enabled) 		— 19 23 mA
LVPECL
(output enabled) 		— 39 43 mA
HCSL
(output enabled) 		— 41 44 mA
Tristate
(output disabled) 		— — 18 mA
OE "1" Setting VIH See Note 0.80 x V DD — — V
OE "0" Setting VIL See Note — — 0.20 x V DD V
OE Internal Pull-Up/Pull-
Down Resistor* 		RI — 45 — kΩ
Operating Temperature TA –40 — 85 oC
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage V DD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
1.8 V option 1.71 1.8 1.89 V
Supply Current IDD CMOS, 100 MHz,
single-ended 		— 21 26 mA
LVDS
(output enabled) 		— 19 23 mA
LVPECL
(output enabled) 		— 39 43 mA
HCSL
(output enabled) 		— 41 44 mA
Tristate
(output disabled) 		— — 18 mA
OE "1" Setting VIH See Note 0.80 x V DD — — V
OE "0" Setting VIL See Note — — 0.20 x V DD V
OE Internal Pull-Up/Pull-
Down Resistor* 		RI — 45 — kΩ
Operating Temperature TA –40 — 85 oC
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
CMOS Output Logic
High 		V OH 0.85 x V DD — — V
CMOS Output Logic
Low 		VOL — — 0.15 x V DD V
CMOS Output Logic
High Drive 		I OH 3.3 V –8 — — mA
2.5 V –6 — — mA
1.8 V –4 — — mA
CMOS Output Logic
Low Drive 		I OL 3.3 V 8 — — mA
2.5 V 6 — — mA
1.8 V 4 — — mA
CMOS Output Rise/Fall
Time
(20 to 80% V DD) 		TR/T F 0.1 to 212.5 MHz,
CL = 15 pF 		0.45 0.8 1.2 ns
0.1 to 212.5 MHz,
CL = no load 		0.3 0.6 0.9 ns
LVPECL Output
Rise/Fall Time
(20 to 80% VDD) 		TR/T F 100 — 565 ps
HCSL Output Rise/Fall
Time (20 to 80% VDD) 		TR/T F 100 — 470 ps
LVDS Output Rise/Fall
Time (20 to 80% VDD) 		TR/T F 350 — 800 ps
LVPECL Output
Common Mode 		VOC 50 Ω to V DD – 2 V,
single-ended 		— V DD –
1.4 V 		— V
LVPECL Output Swing VO 50 Ω to V DD – 2 V,
single-ended 		0.55 0.8 0.90 VPPSE
LVDS Output Common
Mode 		VOC 100 Ω line-line
V DD= 3.3/2.5 V 		1.13 1.23 1.33 V
100 Ω line-line, V DD= 1.8 V 0.83 0.92 1.00 V
LVDS Output Swing VO Single-ended, 100 Ω differential
termination 		0.25 0.35 0.45 VPPSE
HCSL Output Common
Mode 		VOC 50 Ω to ground 0.35 0.38 0.42 V
HCSL Output Swing VO Single-ended 0.58 0.73 0.85 VPPSE
Duty Cycle DC All formats 48 50 52 %
3Silicon振蕩器,510ABA125M000BAG,Si510差分晶振,6G電信晶振       尺寸圖Si510 Si511

差分晶振產品特性：

支持來自的任何頻率100kHz至250MHz

低抖動操作

完全穩定包括10年老化

全面的生產測試

電源噪聲濾波 3.3、2.5或1.8V工作電壓差異(LVPECL，LVDS， HCSL)或CMOS輸出選項

可選集成1:2CMOS扇出緩沖器

行業標準5x7、3.2x5、 和2.5x3.2毫米封裝

無鉛，符合RoHS標準

–40至85攝氏度操作

Si510 Si511 1Si510 Si511 2

更多相關Silicon晶振型號

Manufacturer Part Number原廠代碼 晶振廠家 Series型號 Frequency 頻率 Voltage - Supply電壓 Frequency Stability頻率穩定度
530BA125M000DG Silicon Labs Si530 125MHz 3.3V ±50ppm
531FB125M000DG Silicon Labs Si531 125MHz 2.5V ±20ppm
530BB100M000DG Silicon Labs Si530 100MHz 3.3V ±20ppm
530FC156M250DG Silicon Labs Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
510ABA125M000BAG Silicon Labs Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
511BBA74M2500BAG Silicon Labs Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250BAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA156M250BAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA200M000BAG Silicon Labs Si510 200MHz 2.5V ±25ppm
510ABA200M000BAG Silicon Labs Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
530FA156M250DG Silicon Labs Si530 156.25MHz 2.5V ±50ppm
531BC000110DG Silicon Labs Si531 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
535FB125M000DG Silicon Labs Si535 125MHz 2.5V ±20ppm
SI50122-A4-GM Silicon Labs SI50122-A4 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
511ABA156M250AAGR Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
530FC125M000DG Silicon Labs Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
531BC200M000DG Silicon Labs Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC250M000DG Silicon Labs Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC622M080DG Silicon Labs Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
511FBA100M000BAG Silicon Labs Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250BAG Silicon Labs Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510ABA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
531BC125M000DG Silicon Labs Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
530AC125M000DG Silicon Labs Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
531FB106M250DG Silicon Labs Si531 106.25MHz 2.5V ±20ppm
531AC156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531AC200M000DG Silicon Labs Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC148M500DG Silicon Labs Si531 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530AC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
530BC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
530FC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 2.5V ±7ppm
536BB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
536FB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm
536AB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
510FBA125M000BAG Silicon Labs Si510 125MHz 2.5V ±25ppm
511BBA000149BAG Silicon Labs Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510FBA100M000BAG Silicon Labs Si510 100MHz 2.5V ±25ppm
511FBA106M250BAG Silicon Labs Si511 106.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA106M250BAG Silicon Labs Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA125M000AAG Silicon Labs Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
510BBA100M000AAG Silicon Labs Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
510BBA125M000AAG Silicon Labs Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
511FBA100M000AAG Silicon Labs Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250AAG Silicon Labs Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA148M500BAG Silicon Labs Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
510FBA148M500BAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA156M250BAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA156M250BAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA148M500BAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA156M250AAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA155M520AAG Silicon Labs Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA155M520AAG Silicon Labs Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510BBA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510ABA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
5

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DSC1025BI1-125.0000,5032mm有源晶振,Microchip消費電子晶振，美國Microchip晶振，型號：DSC1025系列，編碼為：DSC1025BI1-125.0000，頻率：125MHz，工作電壓：2.5V，工作溫度范圍：-40℃至+85℃，頻率穩定性：±50ppm，小體積晶振尺寸：5.0x3.2mm封裝，四腳貼片晶振，低功耗CMOS振蕩器，有源晶振，石英晶體振蕩器，具有超小型，輕薄型，高品質，高性能，耐熱及耐環境等特點。應用程序：移動應用程序，消費類電子產品，便攜式電子產品，VTR攝像機的CCD時鐘，低配置文件應用程序，工業應用等。
DSC1003DE1-048.0000T,2520mm,Microchip貼片晶振,監控攝像頭晶振
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ABDFTCXO-50.000MHZ-E-2-CT,Abracon晶體振蕩器,低功耗晶振
ABDFTCXO-50.000MHZ-E-2-CT,Abracon晶體振蕩器,低功耗晶振
ABDFTCXO-50.000MHZ-E-2-CT,Abracon晶體振蕩器,低功耗晶振，美國進口晶振，Abracon晶振，艾博康晶振，型號：ABDFTCXO系列，編碼為：ABDFTCXO-50.000MHZ-E-2-CT，頻率：50MHz，電壓：3.3V，頻率穩定性：±280ppb，工作溫度范圍：-20℃至+70℃，LVCMOS輸出晶振，TCXO晶體振蕩器，小體積晶振尺寸：14.0x9.0x3.0mm封裝，10墊腳貼片晶振，石英晶振，有源晶振，石英晶體振蕩器。具有低抖動，低功耗，低耗能，低損耗，低電源電壓，低電平等特點。應用程序：通信晶振，網絡晶振，同步以太網晶振，IEEE1588，儀器晶振、測試和測量晶振，車載控制器晶振等應用。
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