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百利通亞陶晶振,石英貼片晶振,JX321振蕩器

頻率:10.000MHz~212.500MHz

尺寸:3.2*2.5*1.0mm

小型有源貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優良的耐環境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,WirelessLAN等短距離無線通信領域可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
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百利通亞陶晶振,石英貼片晶振,JX321振蕩器.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

Diodes 公司總部及美洲銷售辦公室位于美國德州普拉諾 (Plano) 與加州米爾皮塔斯 (Milpitas).設計、營銷與工程中心位于普拉諾、米爾皮塔斯、臺灣臺北;臺灣桃園市、臺灣竹北市、英國曼徹斯特及德國紐豪斯 (Neuhaus).Diodes 百利通亞陶晶振的晶圓生產設施位于密蘇里州堪薩斯市及曼徹斯特,另外在中國上海亦設有一座生產設施.Diodes百利通亞陶晶振 在中國上海、濟南、成都、揚州,以及香港、紐豪斯及臺北設有組裝與測試設施.另外在多個據點設有工程、銷售、倉儲及物流辦公室,包括臺北、香港、曼徹斯特、中國上海、深圳、南韓城南市以及德國慕尼黑,并于世界各地設有支持辦公室.

晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使有源晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.

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百利通亞陶晶振

JX321晶振

輸出類型

      CMOS

輸出負載

15pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+2.5V,+3.3V

頻率范圍

10.000MHz~212.500MHz

頻率穩定度

±50ppm

工作溫度

-40℃~+85℃

保存溫度

-55℃~+125℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動時間

5 ms Max

相位抖動(12兆赫~20兆赫)

1個PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

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JX321 3225 OSC

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激勵功率

3225晶振上施加過多驅動力,會導致產品特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 (請參閱“激勵功率”章節內容).

負極電阻

除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節內容).

負載電容

有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).

有源晶振的負載電容與阻抗

負載電容與阻抗有源晶振設置一個規定的負載阻抗值.當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如:失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.

電處理:

將電源連接到耐高溫晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規定電壓值,就很可能會導致石英晶振產品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振,或者起不到最佳精度.

機械處理

當有源耐高溫晶振發生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個強大的沖擊已經給振蕩器確保在使用前檢查其特點.

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