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京瓷晶振,溫補晶振,KT5032溫補晶振

頻率:10~40MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

貼片晶振本身體積小,超薄型溫補晶振,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領域的一種性價比較出色的產品.產品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
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        京瓷晶振,有源晶振,KT5032晶振,5032mm體積貼片晶振適用于汽車電子領域的表面貼片型石英晶振,本產品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.

        石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發(fā)及生產高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內。

項目

符號

規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

10-40MHz

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電源電壓

VCC

2.7-5.5 V

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儲存溫度

T_stg

-40 to +85

裸存

工作溫度

T_use

 -10 to +70

請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.takeda-k.com



頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負載條件、最大工作頻率

待機電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振蕩啟動時間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 , 初年度,第一年

KT5032_5.0_3.2 TCXO

1:抗沖擊

抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給SMD晶振照成不良影響。

2:輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,無線路由溫補晶振因此應避免陽光長時間的照射。

3:化學制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品。

4:粘合劑

請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)

5:鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振日本京瓷晶振即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。

6:靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

京瓷晶振,有源晶振,KT5032晶振

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