精工晶振,石英晶體諧振器,SC-20T晶振.32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
SEIKO是日本晶振制造商Seiko Instruments Inc.的縮寫,也成為SII.SII擁有世界上頂端的機械技術.除了是世界上著名的石英手表廠商,同時也生產(chǎn)電腦打印機.做電子元器件,在石英振子這一方面,SII也是做的非常之出色的,目前,能夠與日本精工晶振全球同等級競爭的,只有日本大真空KDS.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片無源晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
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精工晶振 |
單位 |
SC-20T晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃~+125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:10μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±20ppm |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.takeda-k.com/
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頻率溫度特征 |
f_tem |
30 × 10-6，±50 × 10-6 |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
6.0pF 7.0pF 9.0pF 12.5pF |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
機械振動的影響
當進口晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.
抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英32.768K晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
自動安裝時的沖擊:
石英晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品.請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對石英晶體振蕩器特性產(chǎn)生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等.
靜電
過高的靜電可能會損壞超薄型晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.
粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.
ILSI晶振,高性能石英晶體,IL3T進口晶振
QANTEK晶振,石英晶體諧振器,QTC2晶體
SUNTSU晶振,高精度石英晶振,SWS212晶體
Transko晶振,高精度石英晶振,CS2012晶體
瑞康晶振,貼片無源晶振,RTF2012晶體
微晶晶振,進口貼片晶振,CM8V-T1A石英晶體
Golledge晶振,高質(zhì)量石英晶振,CM8V石英晶體諧振器
Abracon晶振,進口貼片晶振,ABS06L晶體
CTS晶振,進口歐美晶振,TF20手機晶振
ECScrystal晶振,進口貼片晶振,ECX-12壓電晶體