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QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ,Rakon晶振,XO振蕩器,6G無線設備晶振

頻率:50MHZ

尺寸:20.7*13.1mm


QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ,Rakon晶振,XO振蕩器,6G無線設備晶振,尺寸為20.7*13.1mm,頻率為50MHZ,歐美進口晶振,OSC晶振,有源晶振,有源晶體振蕩器,高品質晶振,低抖動晶振,低相位晶振,高精度晶振,低電壓晶振,低耗能晶振,該晶體振蕩器是基于DIL封裝的混合技術。該XO執行+/‐50至+/‐100pm的整體頻率穩定性(相對于溫度范圍和校準在25°C,負載和電源的變化)和老化+/‐5ppm每年。這參考適用于堅固耐用的無線電系統,例如高速列車或航空電子設備。

OscillatorCrystal 產品主要應用范圍:推薦用于嵌入式應用,擴展溫度范圍和堅固的環境,以及航空電子,無線電系統等領域。QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ,Rakon晶振,XO振蕩器,6G無線設備晶振.

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QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ,Rakon晶振,XO振蕩器,6G無線設備晶振,尺寸為20.7*13.1mm,頻率為50MHZ,歐美進口晶振,OSC晶振,有源晶振,有源晶體振蕩器,高品質晶振,低抖動晶振,低相位晶振,高精度晶振,低電壓晶振,低耗能晶振,該晶體振蕩器是基于DIL封裝的混合技術。該XO執行+/‐50至+/‐100pm的整體頻率穩定性(相對于溫度范圍和校準在25°C,負載和電源的變化)和老化+/‐5ppm每年。這參考適用于堅固耐用的無線電系統,例如高速列車或航空電子設備。

OscillatorCrystal 產品主要應用范圍:推薦用于嵌入式應用,擴展溫度范圍和堅固的環境,以及航空電子,無線電系統等領域。QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ,Rakon晶振,XO振蕩器,6G無線設備晶振.

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QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ,Rakon晶振,XO振蕩器,6G無線設備晶振     參數表

1.  Environmental conditions
                  Parameter                                   Conditions/remarks                          Min                Nom              Max            Unit    
Operating Temperature Temperature option DT ‐40 25 85 °C
Temperature option AY ‐55 25 125 °C
Switch‐on Temperature TSo ‐55 125 °C
Non‐Operating Temperature TNOp ‐55 125 °C
Random Vibration Level as per MIL‐STD‐ 202, Method 214, Condition I‐ F (20 Grms)
Sine Vibration Level as per MIL‐STD‐ 202, Method 204, Condition E (50G)
Shocks Mechanical shock as per MIL‐STD‐ 202, Method 213, cond A (half sine with a peak
acceleration of 300g for duration of 3 msec)
Acceleration Acceleration as per MIL‐STD‐883, Method 2001, condition A (5000g, during 60s in Y1)
                 Parameters                                  Conditions/remarks                          Min                Nom              Max            Unit    
Power supply Option BH 3.13  3.3 3.465 V
Option AH 4.5 5 5.5 V
Load Impedance 13  15 18 pF
Parameters                                   Conditions/Remarks                           Min                 Typ               Max            Unit
Nominal Frequency
50 MHz
Steady state input current
power
20 mA
Global Frequency stability (1) Absolute frequency drift option 50 ± 50 ppm
Absolute frequency drift option 100 ± 100 ppm
Initial frequency accuracy ± 15 ppm
Frequency‐temperature
stability
Temperature option DT ± 20 ppm
Temperature option AY ± 25 ppm
Frequency variation vs.
supply voltage
Over Operating Temperature ± 3 ppm
Frequency variation vs. load Over Operating Temperature ± 5 ppm
Frequency ageing Over 15 years ± 12 ppm
Start up time 10 ms
Output waveform AHCMOS compatible Square
Output level
VOL
Supply option BH 0.4 V
Supply option AH 0.5 V
Output level
VOH
Supply option BH 2.4 V
Supply option AH 4.5 V
Duty cycle 40 60 %
Option R 45 55 %
Rise time 10%‐90% of Vcc, frequency < 10 MHz 10 ns
10%‐90% of Vcc, frequency N 10 MHz 5 ns
Fall time 90%‐ 10% of Vcc, frequency < 10 MHz 10 ns
90%‐ 10% of Vcc, frequency ≥ 10 MHz 5 ns
Note 1 : Including initial accuracy+freq temp stability+power supply stab+ageing over 15 years
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QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ,Rakon晶振,XO振蕩器,6G無線設備晶振      尺寸圖XO QEN55 20.7-13.1 OSC

產品特征:

混合產品與模具和電線結合到陶瓷基板上
3點晶體諧振器。

外殼類型:DIL封裝14引腳20.7x13.1x5.1mm典型

頻率范圍:1.5MHz至100MHz

溫度范圍:從‐40°C到+85°C到‐55°C到+125°C

總體頻率穩定性與溫度范圍和校準在25°C

負載和電源變化:總體+/‐50至+/‐100pm

每年老化:第一年45°C時+/‐5ppm

輸出波形:方形;三態輸出

電源電壓:+3.3V或+5V

可選:R:占空比50/50;T:錫制銷;篩選BQEN55 1

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